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三星计划在9月4日展示3nm GAA工艺最新进展

2019-08-01 09:27:48 来源:观察者网
日本在6月4日宣布,管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢三种用于半导体制造的原材料,让韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机。日本管制的三种主要材料中,用户制造光科技光源的氟化氢影响最大,对三星晶圆代工、存储芯片生产都有致命影响,甚至出现了三星因得不到供应停止研发7nm EUV工艺的开发。

 

三星似乎有意证明,他们有能力原材料限制的困境。虽然韩媒有消息称,三星将取消9月4日在日本举行的“三星晶圆代工论坛”活动,但三星方面明确表示该活动将如期进行。
 

三星最近几年,每年都会举行多场“三星晶圆代工论坛”(SFF),9月4日在日本举行专场的重点是三星正在开发的3nm GAA环绕栅极工艺。这种工艺将会应用于3nm节点的产品中,是5nm节点后又一重要节点。


 

 


三星3nm工艺将会基于全新的GAA晶体管结构,通过使用纳米片设备制造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),显著增强晶体管性能,取代FinFET成为晶体管技术。而且MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。
 

 

三星是目前唯一一家公布具体3nm节点技术路线的公司;英特尔现在只提到7nm工艺,5nm何时上马尚未定论,更别说3nm工艺;台积电虽然计划投资250亿美元建设3nm晶圆厂,但台积电同样没有公布3nm工艺的技术路线,是否使用全新设计的晶体管也无从知晓。
 

三星自信会在3nm节点上领先其他对手,最快在2021年量产3nm GAA工艺。


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